| последний номер | первая полоса | поиск в архиве  


№2547, 01.10.2013


Уважаемые коллеги! Дорогие ветераны, пенсионеры – старшее поколение университета!


Университеты двух стран объединились


Юбилей под знаком «медиа»


На Совете ректоров вузов Томской области


Внимание, конкурс!


Действовать необходимо сообща


Библиотечные перспективы


Течения встретились


Новую разработку ТГУ поддержали в Роснано


«Разумное» телевидение


Близнецы в помощь науке


Не надо бояться перемен


Экономика нефти и газа


Научиться языку мировой науки


Молодежь – главный ресурс


От патернализма к партнерству


Посвященные в журналистику


Научный слэм – площадка для общения


Генетика на службе практики


Музей на выставке


Все краски Индии


Конкурс на замещение должностей ТГУ


Конкурс на замещение должностей НИИ ПММ


Конкурс на замещение должностей СФТИ






Новую разработку ТГУ поддержали в Роснано

В сентябре этого года Томским государственным университетом и Томским научным центром Роснано было создано совместное малое инновационное предприятие ООО «Арсенид-галлиевые сенсоры».

Его задача – вывести на рынок разработанную в Сибирском физико-техническом институте ТГУ технологию по созданию арсенид-галлиевых сенсорных структур и рентгеновских детекторов на их основе для различных сфер промышленности.
Результатом работы по данному проекту станет организация производства и вывод на мировой рынок наукоемкой конкурентоспособной продукции нового поколения в области цифровой радиографии, основанной на уникальных отечественных технологиях изготовления сенсорного материала – арсенида галлия.
Проблема разработки цифровых полупроводниковых сенсоров состоит в том, что самый популярный материал – кремний – не находит здесь широкого применения из-за его низкой чувствительности к рентгеновскому излучению и радиационной стойкости. Одним из перспективных материалов является полуизолирующий арсенид галлия, способный работать при комнатных температурах и обладающий на порядок большими значениями коэффициентов поглощения рентгеновского излучения, чем кремний.
Прогресс за последние десять лет в создании детекторного материала связан с работами томской научной школы под руководством профессора ТГУ Олега Толбанова. В рамках работ был создан компенсированный хромом полуизолирующий арсенид галлия (SI-GaAs:Cr) с высоким временем жизни электронов.
Потенциальным партнером данного проекта может стать Samsung inc., специалисты данной компании в ходе визита в Томск высоко оценили имеющиеся разработки и перспективы по созданию малодозных детекторов нового поколения для маммографии, дентальной томографии. В настоящее время Samsung Inc. и ООО «Арсенид-галлиевые сенсоры» проводят совместную работу по заключению двустороннего соглашения о партнерстве и формируют техническое задание на создание цифрового детектора нового поколения с использованием сенсорных структур арсенида галлия, произведенных в Томске.
На пером этапе реализации данного проекта Томский НЦ Роснано выступит в качестве посевного инвестора, профинансировав выпуск пилотной партии продукции на базе существующего оборудования и проведение промышленных испытаний совместно с Samsung inc.



Томский Государственный УниверситетCopyright © Alma Mater; E-mail: alma@mail.tsu.ru